Красноярские ученые получили новые перспективные тонкие пленки из кислорода, меди и нитрида титана, полученные результаты могут стать технологическим прорывом в разработке резисторов и транзисторов нового поколения, сообщает Красноярский научный центр СО РАН.
Тонкие пленки на основе нитрида титана широко используются в
различных промышленных и технологических областях, например, в производстве
кремниевых микропроцессоров и других больших интегральных микросхем,
фотокатализаторах, преобразователях солнечной и тепловой энергии в
электрическую, в стоматологии и даже при изготовлении куполов церквей.
Благодаря высокому электромагнитному сопротивлению и его
слабой температурной зависимости, химической инертности, а также способности
выдерживать высокие мощности и температуры, аналогов для их замены на настоящий
момент нет.
Ученые ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН», СФУ и СибГУ им. М.Ф. Решетнева
получили новый материал для тонких пленок из оксинитрида титана, легированного
медью. Он обладает электрическим сопротивлением в тысячу раз меньше, чем у
обычного нитрида титана. Изучая полученное соединение, физики открыли новое
явление сегрегации меди, которая не распределялась, как принято по всей пленке,
а скапливалась на ее поверхности.
«В результате мы получили возможность создавать проводящие слои. Это может
пригодиться в приборостроении, например, для устройств, которые работают на
высоких частотах. Поэтому данная разработка в перспективе может пригодиться для
приборов, которым необходимо низкое сопротивление, например, транзисторов,
резисторов, конденсаторов, фотокатализаторов и солнечно-селективных поглощающих
покрытий», – рассказал научный сотрудник Института физики им. Л.В.
Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН Филипп Барон.
