Физики в США создали первые графеновые транзисторы, которые могут работать в тысячи раз быстрее кремниевых конкурентов. При этом они потребляют примерно в сто раз меньше энергии, отмечают разработчики.
«Кремниевые технологии давно достигли своего предела, и мы больше не можем опираться на них», — цитирует Райана Гельфанда из университета Центральной Флориды в Орландо издание Nature Communications.
Графен, открытый в 2004 году российско-британскими физиками Андреем Геймом и Константином Новоселовым, считается наиболее перспективным материалом для создания транзисторов нового поколения.
Американские специалисты придумали использовать графен для создания не обычных транзисторов, а «магнитных» аналогов, в которых движением электронов управляют магнитные, а не электрические поля.
Ток в таком транзисторе может течь только в одном направлении, и его сила будет зависеть от того, как много тока пропускается через боковые нити из углерода. При этом помимо сверхвысокой скорости переключения, их можно соединять напрямую.
Главная проблема заключается в том, что пока такой графеновый транзистор не может эффективно работать при комнатной температуре, ему требуется мощное охлаждение. Однако физики уже отыскали несколько способов, которые должны решить данную проблему.
