Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработали устройство для хранения информации на основе мультиграфена, которое по быстродействию и времени хранения информации превосходит аналоги, пишет официальное издание СО РАН «Наука в Сибири».
Принцип действия флеш-памяти основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в качестве которой выступает мультиграфен. Помимо этого необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
Исследования показали, что быстродействие устройства на мультиграфене выше в два-три раза, также оно позволяет дольше хранить информацию, по сравнению с устройствами памяти, где применяется кремний. Говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано.
«На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», — отметил старший научный сотрудник института Юрий Новиков.
