НАВЕРХ

Разработана память в 1000 раз быстрее флэш

Фото с сайта tech.petegraham.co.uk

Ученые Университета Пенсильвании заявили, что им удалось разработать технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая работает в тысячу раз быстрее, чем современная флэш-память, и способна надежно хранить данные в течение как минимум 100 тысяч лет. Новый вид памяти основан на фазовом состоянии вещества и является разновидностью так называемой «фазовой памяти».

По словам разработчиков, в основе созданной ими технологии лежат самостоятельно формирующиеся нанопроволоки из теллурида сурьмы и германия – соединений, способных менять свое фазовое состояние под воздействием электрического тока. Такие вещества могут иметь кристаллическую структуру либо находиться в неупорядоченном аморфном состоянии, имея при этом разное электрическое сопротивление. Толщина нанопроволок памяти составляет 30-50 атомов в диаметре, длина – 10 мкм, сообщает TG Daily.

В результате первых экспериментов с образцом памяти удалось установить, что она способна записывать, читать и удалять биты данных со скоростью в тысячу раз выше средней скорости работы современных устройств на базе флэш-памяти. При этом, как отмечают ученые, их память потребляет очень малое количество электрической энергии - всего 0,7 мВт на операцию с одним битом.

Обсуждение (3)