Intel объявила о готовности первой среди производителей приступить к выпуску полупроводниковых чипов с трехмерными транзисторами. В корпорации данный шаг называют "революцией" за более чем 50-летнюю историю элементарной частицы электронного устройства. "Ученые Intel вновь изобрели транзистор, в этот раз используя третье измерение", — заявил президент Intel Пол Отеллини.
В соответствии с законом Мура, число транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года. Однако с приближением к 22-нм технологической норме следовать этому правилу становится все сложнее. Зная о предстоящих трудностях, в 2002 году инженеры Intel изобрели технологию Tri-Gate. Ее суть заключается в использовании кремниевой подложки, из которой элементы как бы произрастают вверх, открывая управляющему току целых три поверхности.
Трехмерные транзисторы Tri-Gate, изготовленные на базе 22-нм техпроцесса, смогут предложить максимум на 37% более высокую производительность в сравнении с обычными транзисторами, изготовленными на базе 32-нм техпроцесса. При этом чипы с новыми транзисторами смогут потреблять менее половины энергии, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой.
В Intel уверены, что благодаря переходу на новую технологию они смогут следовать закону Мура в течение многих следующих лет. Кроме того, в компании рассчитывают, что технология Tri-Gate позволит существенно снизить энергопотребление чипов Intel Atom для смартфонов, что, наконец, позволит Intel выйти в сегмент карманной электроники.
Технологию трехмерных транзисторов впервые планируется применить в конце 2011 года в массовом производстве процессоров Intel Core под кодовым названием Ivy Bridge. Эти процессоры будут выпускаться на основе 22-нм нормы. Впоследствии технологию планируется внедрить в линейку Atom.
