Крупнейшие технологические корпорации Intel, Samsung и Toshiba объединяются для разработки микросхем, плотность размещения элементов в которых более чем в два раза превышает возможности современных полупроводниковых технологий. По информации японской газеты Nikkei daily, это позволит к концу 2016 года перейти на 10-нанометровый технологический процесс производства микросхем, сделав чипы в два раза компактнее нынешних.
Министерство экономики, торговли и индустриального развития Японии вложит в проект около 60 миллионов долларов. Еще столько же обеспечат члены консорциума. Toshiba и Samsung планируют использовать совместные наноразработки для создания нового поколения флэш-накопителей, а интерес Intel состоит в ускорении работы микропроцессоров.
Intel уже производит чипы с помощью 32-нанометрового техпроцесса и планирует переход на 22 нанометра в следующем году. Компания намерена инвестировать от 6 до 8 миллиардов долларов в переоборудование производства микропроцессоров в США.
